制造半导体封装体的方法

制造半导体封装体的方法包括：制备其上提供有连接凸块的模塑结构体，形成至少部分地填充在所述连接凸块之间的空间的脱模层，其中所述脱模层包括基于硅(Si)的聚合物，形成覆盖所述脱模层和所述连接凸块的粘合剂层，通过切割所述模塑结构体、所述脱模层和所述粘合剂层来分离其上形成有所述脱模层和所述粘合剂层的单元封装体，通过所述粘合剂层将所述单元封装体附接到基膜，其中所述粘合剂层面向所述基膜，形成覆盖所述单元封装体各自的至少一部分、所述脱模层的至少一部分和所述粘合剂层的至少一部分的屏蔽材料层，以及将覆盖有所述屏蔽材料层的所述单元封装体与所述脱模层分离。