基于多个光刻模型的光学临近效应修正方法、装置、介质及程序产品

本发明提供基于多个光刻模型的光学临近效应修正方法、装置、介质及程序产品，所述方法包括：根据对当前光刻条件的分析结果判断前层薄膜叠层是否在不同区域存在差异；评估所述差异对当层光刻图形成像的影响，根据评估结果配置一或多种晶圆并分别进行曝光以采样建模数据；利用建模数据分别进行光刻模型校准；在进行光学临近修正之前，对输入版图的图形按照前层不同薄膜叠层区域图形以及不同类型图形进行分类并标记；在进行光学临近修正过程中，分别调用对应的光刻模型或子光刻模型对不同类别的图形进行模拟并修正。本发明极大提高了每一部分图形的光刻精度，并极大地提高了光学临近修正效应。