一种用于芯片封装的真空共晶炉

本发明涉及半导体器件处理技术领域，具体涉及一种用于芯片封装的真空共晶炉，包括：炉体，所述炉体的上端面固定安装有第一支架，所述第一支架内固定安装有第一升降驱动件，所述炉体的上端面且远离第一支架的位置处固定安装有密封装置。本发明通过驱动芯片进行下降，让弹性片进入到芯片焊接点焊球之间的间隙，对偏移位置的焊球进行检测，而焊球偏移时会挤压弹性片并让弹性片变形，并且芯片可以通过上升再次下降使弹性片进行转动，对焊球之间的竖向间距进行检测，避免对焊球偏移检测不到位，这样在芯片后续进入到炉体内进行焊接的过程中，可以有效避免焊接出现芯片的电路功能异常，提高炉体的质量。