一种先进封装叠片型瞬态电压抑制二极管及其制备方法

本发明提供一种先进封装叠片型瞬态电压抑制二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：芯片堆叠体，芯片堆叠体由多个芯片半成品堆叠封装构成，每个芯片半成品包括外露于芯片半成品的第一包封体的第一重布线层和第一引线层；第二包封体，第二包封体包裹于芯片堆叠体，芯片堆叠体正面的第一重布线层以及芯片堆叠体背面外露于第二包封体，第二包封体中具有过孔；焊盘，形成于第二包封体与芯片堆叠体背面共面的一面相对的两侧；第二重布线层，形成于芯片堆叠体正面的第一重布线层上，第二重布线层通过过孔连接焊盘。有益效果：本发明能够在有效减小器件体积的同时，保持了芯片原有的击穿方向的峰值脉冲电流IPP水平不变。