中介层、光电共封装结构及其制备方法

AITNT
正文
推荐专利
中介层、光电共封装结构及其制备方法
申请号:CN202411918099
申请日期:2024-12-24
公开号:CN119937086A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种中介层、光电共封装结构及其制备方法,中介层包括:基底,所述基底包括玻璃基底或石英基底;第一波导层,所述第一波导层设置在基底上,且第一波导层中设置至少一个第一波导结构;第一波导结构包括第一光波导;第二波导层,第二波导层设置在第一波导层远离基底的一侧,且第二波导层中设置至少一个第二波导结构;第二波导结构包括N个依次层叠设置在第一波导层远离基底一侧的第二光波导、第三光波导,...,第N+1光波导;其中,1≤N;第二光波导、第三光波导,...,第N+1光波导的折射率依次增大,且第二光波导的折射率大于第一光波导的折射率。本申请的技术方案旨在提供一种能实现高密度集成的光电共封装结构。
技术关键词
光波导 波导结构 中介层 基底 封装结构 光耦合器 通孔 干法刻蚀工艺 光学元件 光电 芯片 耦合结构 石英 玻璃 电极 层叠 电路板 二氧化硅 高密度
系统为您推荐了相关专利信息
1
功率半导体器件的封装结构、方法及电子设备
半导体芯片 功率半导体器件 封装结构 管脚 引线框架
2
一种掩膜更换装置
旋转夹持组件 更换装置 承载组件 搬运组件 掩膜
3
芯片模组、摄像装置及电子设备
芯片模组 电路板 封装结构 电连接线 摄像装置
4
一种封装结构的封装方法
存储芯片 封装方法 封装结构 中介层 控制芯片
5
功率半导体封装结构
功率半导体封装结构 功率半导体芯片 安装平台 导电金属层 基板
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号