一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法

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一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法
申请号:CN202411939837
申请日期:2024-12-26
公开号:CN119742661B
公开日期:2025-08-15
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种直接调制激光器阵列芯片及其制作方法,涉及半导体激光器制作的技术领域,该直接调制激光器阵列芯片中设置至少两个输入路径和一个输出路径,所有输入路径共同耦合到一个输出路径中,形成激光器阵列,每个输入路径中设置一个激光器单元以及一个能够与之形成等效FP反馈腔的光栅结构,光栅结构均通过按照预定的图案对光栅材料刻蚀形成,且刻蚀穿过光栅结构并延伸至下方的间隔层中;本申请中的技术方案能够在激光器阵列中引入了光光谐振效应的同时,通过电子束曝光和干法刻蚀相结合的方式在单次刻蚀中获得具有不同反射率的多个光栅结构,减小了芯片制作的工艺复杂度。
技术关键词
调制激光器 分布布拉格反射 间隔层 量子阱层 接触层 光栅结构 波导 芯片 半导体激光器制作 激光器阵列 电极 图案 缓冲层 衬底 电子束 光刻胶表面
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