一种半导体功率器件的封装结构

本实用新型涉及芯片封装技术领域，为了解决现有半导体功率器件不能兼顾大电流和贴片成本的技术问题，本实用新型提供了一种半导体功率器件的封装结构，包括三颗MOS管，MOS管的源极和栅级分布在封装结构的两侧，在封装结构的底部分别形成三个源极焊盘、漏极焊盘和栅极焊盘，漏极焊盘位于封装结构的中部，漏极焊盘的面积大于源极焊盘的面积，源极焊盘的面积大于栅极焊盘的面积。相比单颗MOS和双颗MOS的封装结构，减少了芯片的贴片数量，简化PCB设计和布局，走线简单，降低后续贴片费用，可以在电机换相应用时满足大电流需求，提升电机换相等应用性能，综合体积与空间平衡，使热效均衡。