半桥结构的封装加工方法及半桥封装器件

AITNT
正文
推荐专利
半桥结构的封装加工方法及半桥封装器件
申请号:CN202510077476
申请日期:2025-01-17
公开号:CN119943675A
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明公开了半桥结构的封装加工方法及半桥封装器件,该封装加工方法包括使用粘接材料对引线框架、覆铜陶瓷基板、基板功率芯片及基岛功率芯片进行粘接,焊接金属线后塑封形成塑封体,在塑封体位于第一引脚与第二引脚之间的侧边形成引脚隔离凹槽,引线框架位于基岛的背面为散热片,散热片靠近第一引脚的一侧形成长条形凹槽,将塑封体进行电镀锡后进一步切割长条形凹槽形成切割凹坑,清理切割凹坑并置于治具中固定后填充液态树脂,烘烤以使液态树脂固化并进行切筋成型处理。上述的封装加工方法,使基岛与各引脚能够在封装完成后分别实现不同的电气功能,可以在不会改变封装外形的情况下实现半桥电气结构,同时满足电路高爬电距离的需求。
技术关键词
覆铜陶瓷基板 功率芯片 引线框架 隔离凹槽 封装器件 长条形 凹坑 散热片 半桥结构 焊接金属 高爬电距离 固化材料 树脂刀片 塑封模具 导热导电 焊线 电气
系统为您推荐了相关专利信息
1
基于半导体衬底的电路-热沉单片集成基板及其制备方法
引线框架 半导体衬底 微流道结构 外延生长工艺 热沉
2
一种用于马达驱动模块的SOP框架结构
金属框架 马达驱动模块 框架单元 框架结构 边条
3
一种ESD保护器件封装工艺优化方法及系统
封装工艺 参数 ESD保护器件 均衡算法 封装器件
4
功率模块、集成功率模块、用电设备和车辆
功率芯片 电连接件 集成功率模块 端子 基板
5
一种高温高功率密度SiC功率半导体器件制备方法
回流焊工艺 散热底板 烧结工艺 基板 去耦电容
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号