一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺

本发明公开了一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺，涉及芯片封装领域。一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺，包括如下步骤：S1：芯片预处理；S2：应用保护涂层；S3：封装层处理；S4：封装测试，所述S1中芯片预处理还包括如下方法：采用等离子体清洗、采用紫外线照射、化学清洗，所述S2中应用保护涂层还包括如下方法：在芯片表面预处理完成后，均匀涂覆一层保护性材料，形成初步的防护涂层，防护涂层的厚度控制在100‑300nm；本发明对芯片进行表面钝化处理，采用等离子体增强化学气相沉积技术在芯片表面沉积一层氮化硅钝化层，以增强芯片表面的硬度和抗腐蚀性，同时减少芯片表面的电荷积累，防止静电放电对芯片造成损伤。