半导体器件工艺的多目标双层智能优化方法

本发明提出半导体器件工艺的多目标双层智能优化方法，属于半导体工艺设计领域。该方法包括上层寻优与下层寻优两个步骤，上层寻优面向图形化工艺，对结构特性进行优化；下层寻优面向材料处理工艺，对物理特性进行优化，经过两层优化后再进行电学特性的仿真，可以更好的为优化指引方向，也能降低仿真时间。在满足各项目标阈值且成功进行电学特性仿真的个体中，判断上下层优化的目标与最终的电学特性的目标之间的关系，更好的调整之后在分层优化中对不同目标之间的偏好。本发明通过对半导体器件工艺优化进行自动化的寻优迭代，节省了时间成本和人工设计成本，有效地提高了元件的设计效率。