衬底、发光二极管及其制作方法

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衬底、发光二极管及其制作方法
申请号:CN202510222576
申请日期:2025-02-27
公开号:CN120302777A
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种衬底、发光二极管及其制作方法。衬底的一面具有图形化结构,图形化结构包括多个图形单元,每个图形单元包括多个凸起,相邻的两个图形单元之间的间距大于同一个图形单元中相邻凸起的间距。图形单元包括多个凸起,相邻的两个所述图形单元之间的间距大于同一个所述图形单元中相邻凸起的间距,从而在对发光二极管芯片进行外延结构图形化,使得外延边缘可以位于相邻图形单元的间隔中,从而保证外延边缘的厚度,减少了在后续激光剥离时气体的冲击力对外延带来的附加损伤,提高了发光二极管的可靠性。
技术关键词
图形化结构 外延结构 对位标记 光刻胶薄膜 衬底上生长外延层 半导体层 间距 发光二极管芯片 掩膜板 基准 激光 包裹 气体
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