一种提高晶圆堆叠良率的分布式键合封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种提高晶圆堆叠良率的分布式键合封装方法。包括如下步骤：S1，对第一晶圆上Fail Die进行剥离；S2，提供第二晶圆、Good Die，并将Good Die混合键合至第二晶圆上；S3，将第一晶圆与第二晶圆进行混合键合，Good Die位于第一晶圆上剥除的Fail Die区域内；S4，第一晶圆背面减薄至Good Die区域露出；S5，对第一晶圆的硅层进行刻蚀，并露出第一晶圆内的TSV结构；S6，清洗后，通过PECVD工艺进行填充；S7，通过CMP抛光清洁，并露出Cu。同现有技术相比，将good die与先键合，再与已挖除fail die的晶圆后键合的分布式键合方式，提高晶圆级键合的整体良率。这种分布式键合，相对于直接修复晶圆后的键合，省去了修复晶圆的胶水贴Die及后续的共面调整步骤。