一种半导体晶圆的切割方法

本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆包含多个碲镉汞芯片；使用第一划片刀，对所述多个碲镉汞芯片之间的间隙进行第一次划切，形成第一线槽；使用第二划片刀沿所述第一线槽进行第二次划切，形成第二线槽，所述第二线槽的宽度小于第一线槽宽度，第二线槽深度与第一线槽深度之和小于晶圆厚度；对所述第二线槽处的晶圆进行湿法刻蚀，使得所述多个碲镉汞芯片一一分离。本发明提供的半导体晶圆的切割方法，通过多次划切后湿法刻蚀断开，明显改善了划片崩边及裂纹的问题，大大提升了红外探测芯片的性能。