一种高深宽比大角度硅基斜孔的干法刻蚀方法及封装结构

本发明公开了一种高深宽比大角度硅基斜孔的干法刻蚀方法，其提高了硅基斜孔的深宽比，且操作步骤简单，从而提升封装结构的性能，且确保单位面积的封装结构的密度可以提高。其特征在于：斜孔采用先通过Bosch工艺在硅槽内刻蚀出直孔结构，再通过非Bosch工艺将直孔结构扩成斜孔结构的干法刻蚀。