多层堆叠存储器封装结构的芯片互联方法、装置及设备

本发明涉及一种多层堆叠存储器封装结构的芯片互联方法、装置及设备，包括以下步骤，基于预设的芯片布局图对多个已减薄的存储裸片进行位置排布，得到排布芯片阵列；通过高精度对准设备对所述排布芯片阵列中各个目标存储裸片进行键合面对准，得到对准芯片阵列；对所述对准芯片阵列进行热压键合操作，得到键合芯片堆叠体；对所述键合芯片堆叠体进行边缘切割，得到切割芯片堆叠体；所述通过微间距互连技术对所述切割芯片堆叠体进行金属填充互连，得到互连芯片堆叠体；采用异构集成封装技术对所述互连芯片堆叠体进行真空树脂封装，得到目标封装存储器芯片堆叠体结构，解决了如何确保多层堆叠存储器之间能够建立稳定且高效的电气连接的技术问题。