一种倒封装结构的碳化硅二极管

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一种倒封装结构的碳化硅二极管
申请号:CN202510287556
申请日期:2025-03-12
公开号:CN120261431A
公开日期:2025-07-04
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种倒封装结构的碳化硅二极管。包括碳化硅二极管核心和包覆碳化硅二极管核心的外壳;所述碳化硅二极管核心包括碳化硅二极管芯片,碳化硅二极管芯片下方为碳化硅二极管芯片电极;所述碳化硅二极管芯片电极下方设置有金属互连区,金属互连区下方设置有封装框架。本发明提供的倒封装结构的碳化硅二极管,选择了的材料和设计了合理的结构,采用金属互连区将碳化硅二极管芯片电极与封装框架连接至一起,比常规打线连接更加有效利用了碳化硅二极管芯片电极和封装框架的面积,较大的接触面积使得碳碳化硅二极管芯片电极与封装框架具有极低的电阻,在器件运行期间可以显著降低器件的损耗。
技术关键词
碳化硅二极管 封装框架 封装结构 金属互连 绝缘导热片 芯片 电极 散热片 核心 负极 外壳 烧结纳米银 金锡合金 封装方法 镜像对称 模压机 封装胶 中心线 加热
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