一种基于语义分割模型的半导体FinFET结构的氧化层厚度自动测量方法

本发明公开了一种基于语义分割模型的半导体FinFET结构的氧化层厚度自动测量方法，属于半导体制造检测技术领域。针对现有TEM图像人工测量效率低、弯曲氧化层厚度计算精度不足的问题，本发明通过语义分割模型提取氧化层掩膜图，结合骨架化与图结构优化技术提取氧化层中心线主干路径，沿路径等距采样后采用主成分分析法动态计算法线方向，实现弯曲区域的像素级厚度测量。该方法通过镜像填充消除边界误差，利用深度学习模型提升分割精度，优化骨架分支消除干扰，最终实现纳米级氧化层厚度的高精度自动化测量。相比传统人工方法，本发明具有测量效率高、客观性强、可视化直观等优势，适用于FinFET制造工艺中的氧化层质量监控。