摘要
本发明属于芯片技术领域,公开了一种带孔芯片的封装方法,其特征在于,包括步骤一,制备具有梯度膨胀系数的复合基板;步骤二,对DIP芯片的金属化通孔进行等离子体刻蚀形成微纳粗糙表面,采用梯度温度场焊接工艺将DIP芯片固定于复合基板上,并在DIP芯片的外围注射磁场定向的液态晶体聚合物形成各向异性封装层;步骤三,在封装后的复合基板背面制作BGA焊盘阵列,采用激光蚀刻方式在封装表面构建仿生微织构;步骤四,在处理后的封装结构表面依次沉积类金刚石碳防护薄膜、凝胶层及梯度金属化外层,形成封装体;提升了芯片封装的性能,优化了芯片的热管理、机械性能和防护能力,显著提高了芯片封装的可靠性和使用寿命。
技术关键词
复合基板
封装方法
梯度温度场
金属化
BGA焊盘
芯片
防护薄膜
焊接工艺
类金刚石碳
微织构表面
导电胶
碳纳米管
蚀刻方式
等离子体刻蚀腔室
硅氧烷改性聚氨酯
封装设备
激光冲击强化装置
封装体
凝胶
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