一种可高散热性能的扇出型封装结构及封装方法

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一种可高散热性能的扇出型封装结构及封装方法
申请号:CN202510451894
申请日期:2025-04-11
公开号:CN120280414A
公开日期:2025-07-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种可高散热性能的扇出型封装结构,其大幅提高封装体中硅的体积占比,同时结构侧露硅,可显著提高产品的散热性能,且成品强度更高,可靠性更好。其包括:至少一芯片;若干假芯片机构,每组假芯片机构其包括硅层、表面绝缘层;塑封层;混合层,其由若干RDL和PA排布形成;以及I/O导出结构;塑封层的表面排布有芯片和假芯片机构,塑封层将芯片和假芯片机构塑封连成一体,芯片位于若干假芯片机构所环绕形成的中心位置区域,位于外围布置的假芯片机构的至少一立面外露设置,假芯片机构的表面绝缘层和芯片的表层平齐布置,混合层覆盖于假芯片机构的表面绝缘层、芯片的表层、以及塑封层的对应表面的表层。
技术关键词
封装方法 封装结构 混合层 晶圆 绝缘高分子材料 集成电路器件 固态胶膜 排版 外露 芯片元件 交替结构 重布线层 间距 芯片结构 重构 大板 芯片封装 空洞 尺寸
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