基板与IC芯片的三维高密度互连方法

本发明涉及一种基板与IC芯片的三维高密度互连方法，包括以下步骤：对预设的硅基底进行多层介质复合处理，得到具有预设深宽比的硅通孔阵列结构；对所述硅通孔阵列结构进行金属填充，得到三维互连导电通路；对所述三维互连导电通路进行表面处理，得到具有梯度金属化的微凸点结构；对所述微凸点结构进行激光辅助键合，得到硅桥‑基板临时结构体；通过超临界流体辅助注入技术对所述硅桥‑基板临时结构体进行底部填充，得到具有应力释放功能的封装结构体；将预设的IC芯片与所述封装结构体进行组装固定，得到三维高密度互连封装体，解决了传统的二维平面互连方法难以满足高密度集成的要求的技术问题。