多芯片高密度连接的光刻技术实现方法

本申请公开了多芯片高密度连接的光刻技术实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备，光刻技术实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一原有图形单元对准曝光，将第一掩膜版图形转移到第一曝光区域；将衬底纵向移动M倍原有图形纵向尺寸对准曝光并横向移动1倍原有图形横向尺寸对准曝光，完成其它M×1芯片组曝光区域的曝光；选择第二掩膜版通过第二对准标记与第一原有图形单元对准曝光，将第二掩膜版图形转移到第二曝光区域；将衬底横向移动N倍原有图形横向尺寸对准曝光并纵向移动1倍原有图形纵向尺寸对准曝光，完成其它1×N芯片组曝光区域的曝光。本方案实现了多芯片高密度互连。