晶圆背面研磨减薄方法

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晶圆背面研磨减薄方法
申请号:CN202510527263
申请日期:2025-04-25
公开号:CN120461310A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明提供晶圆背面研磨减薄方法。该晶圆背面研磨减薄方法,包括,a.将待研磨的晶圆固定在支撑盘上,并调整晶圆与研磨头之间的间隙,b.选择适宜的研磨盘,研磨盘上覆盖具有适当粒度的磨料,磨料粒度范围为100至800目,c.将晶圆背面与研磨盘接触,通过控制研磨盘的转速为200至500rpm,进行初步研磨,减薄晶圆至预设厚度的80%。该晶圆背面研磨减薄方法,通过精确控制研磨过程中的多个关键参数,有效解决了研磨过程中产生的较大热量导致晶圆发生热应力破裂的问题。通过在研磨过程中使用研磨液进行持续冷却,并实时监控晶圆背面温度,确保温度不超过50℃,避免了热量积聚所引发的热应力破裂。
技术关键词
减薄方法 晶圆背面 研磨液 研磨盘 超声波清洗系统 清洗晶圆表面 研磨头 水基液体 超纯水 流速 粗糙度 半导体 裂纹 芯片 频率 参数
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