一种集成电路芯片热中子软错误来源定位方法

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一种集成电路芯片热中子软错误来源定位方法
申请号:CN202510558018
申请日期:2025-04-29
公开号:CN120373240A
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本申请涉及集成电路技术领域,公开了一种集成电路芯片热中子软错误来源定位方法,该方法包括:对芯片进行切片分析得到几何结构和元素分布及含量数据;基于几何结构和元素分布及含量数据构建芯片仿真模型;基于芯片仿真模型,将热中子作为入射粒子,进行集成电路芯片与热中子的相互作用仿真;基于相互作用仿真,分析集成电路芯片表面产生的次级重离子的种类、能量、运动角度以及粒子初始来源,定位集成电路芯片热中子软错误来源。本申请,提高了芯片热中子软错误来源的定位精度,为芯片设计提供有效支持,极大地提升了芯片的可靠性和稳定性,能更好地满足对芯片高性能、高可靠性的严苛需求。
技术关键词
集成电路芯片 热中子 软错误 定位集成电路 定位方法 仿真模型 分析集成电路 能量色散X射线 元素 扫描电子显微镜 粒子 切片 集成电路技术 蒙特卡罗 数据 光谱仪 离子 运动
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