一种集成电容与PMIC芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法

本发明公开了一种集成电容与PMIC芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法，该封装结构将PMIC芯片和LSI芯片分别嵌入两层塑封层，PMIC芯片和LSI芯片均具有TSV通孔，两层塑封层之间加工有电容电路及中间重布线层，形成了双层塑封通孔中介层，在双层塑封通孔中介层两侧加工重布线层，顶部连接HBM芯片和SOC芯片，底部焊接于基板上，基板的底部植球，且在两层塑封层中内埋散热片，散热片与基板的散热通道连接传导热量，基板上罩有散热盖。该封装方法中采用塑封通孔和塑封嵌入芯片技术形成了高密度3D堆叠封装，通过PMIC芯片与电容与处理器垂直连接，缩短连接路径，解决高性能处理器的电压电流不足、功率不足及散热问题。