一种高耐压的变容二极管及其制备方法

本发明公开了变容二极管技术领域内的一种高耐压的变容二极管及其制备方法。该变容二极管包括：N+衬底；N‑外延层，N‑外延层上设置有主结区、多个环区、终端区和复合沟槽，多个环区均以主结区为中心间隔分布，复合沟槽设置于主结区及其相邻环区之间，终端区位于N‑外延层周缘，主结区从下至上依次为掺杂N区、掺杂P区和重掺杂P+区，环区为轻掺杂P‑区，终端区为金属沟槽；Al‑Si化合物，设置于主结区、多个环区、终端区和复合沟槽的上表面；氧化层，覆盖N‑外延层上表面；钝化层。该变容二极管通过多环区+金属沟槽设计，有效提高芯片反向耐压及过流能力，同时结合主结两侧的复合沟槽又降低了正向压降，实现高耐压低压降。