半导体结构的制造方法

本公开实施例提供半导体结构的制造方法，所述方法包括：提供第一键合结构，所述第一键合结构包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括第一半导体层，所述第二晶圆包括第二半导体层；所述第一半导体层和所述第二半导体层分别位于所述第一键合结构沿键合方向相对的两侧；对所述第一半导体层和/或所述第二半导体层进行减薄处理；通过激光照射工艺在减薄后的所述第一半导体层和/或所述第二半导体层中形成改质区域。