多芯片高密度连接光刻技术的实现方法

本申请公开了多芯片高密度连接光刻技术的实现方法、用于多芯片互连的光刻技术的实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备，多芯片高密度连接光刻技术的实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一M×N芯片组中第一原有图形单元对准曝光，将第一掩膜版图形转移到覆盖第一原有图形单元的曝光区域；将衬底纵向移动M倍原有图形纵向尺寸或横向移动N倍原有图形横向尺寸执行对准曝光，完成其他M×N芯片组对应区域的曝光；选择其它掩膜版重复对第一M×N芯片组其他相应图形单元执行曝光，重复执行纵向移动或横向移动完成其他M×N芯片组中相应图形单元对应区域的曝光。本方案实现了多芯片高密度互连。