一种超导量子芯片的空气桥制备方法及超导量子芯片

本申请公开了一种超导量子芯片的空气桥制备方法及超导量子芯片，应用于量子技术领域，本申请实施例方法包括：在超导量子芯片的基底表面设置第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光显影处理及加热回流处理，形成桥撑结构；其中，加热回流处理过程中桥撑结构表层的光刻胶发生变性；利用紫外光源按照预设曝光剂量对包含变性光刻胶的桥撑结构的基底进行紫外泛曝光处理；基于完成紫外泛曝光处理的桥撑结构制备空气桥。在加热回流处理后形成的桥撑结构进行紫外泛曝光处理，利用光化学反应破坏变性光刻胶的交联结构（如断裂胶体中的C–C与C–O交联键），提升光刻胶在去胶液中的溶解性，使后续去胶液更容易渗透以溶解胶体，提高去胶效率和去胶效果。