一种电容3D封装工艺方法

本发明涉及电容封装技术领域，尤其涉及一种电容3D封装工艺方法；技术问题：在日常使用电容封装工艺在3D封装中存在的基板面积利用率低、层间焊接不良及后处理复杂的问题；技术方案：一种电容3D封装工艺方法，包括基板预处理、第一层电容焊接、第二层电容预处理、电容堆叠、在回流焊装置中进行焊接，并对回流焊装置温度进行分区控制以及形成IMC层步骤；本发明利用锡膏和助焊剂作为焊接介质，通过精确控制的回流焊工艺，实现多层电容的可靠堆叠焊接，实现了电容的垂直堆叠封装，显著减小了封装尺寸；通过分区温度控制，确保各层焊接质量；提高了封装密度和集成度。