应用于多电压域的NMOSFET结构复合管快速触发SCR静电防护器件

本发明提供了一种应用于多电压域的NMOSFET结构复合管快速触发SCR静电防护器件，涉及静电防护器件技术领域，包括：P衬底；位于所述P衬底上的P阱一、N阱一和P阱二；多个注入区；多个沟槽；栅氧区；N+注入区四作为漏极、栅氧区一作为栅极、N+注入区五作为源极、P阱二作为衬底，共同构成NMOSFET晶体管；双极结型晶体管PNP与双极结型晶体管NPN共同构成SCR结构；P+注入区三、N+注入区二、P+注入区四、N+注入区三为交叉分割的分割结构；栅氧区一和N+注入区五连接后与P+注入区二相连；P+注入区一、N+注入区一、P+注入区五共同连接至阴极；本发明能够全面提升芯片内部核心电路的防护能力。