一种双结红外LED外延结构及红外LED芯片

本发明提供了一种双结红外LED外延结构及红外LED芯片，通过在双结红外LED外延结构的两侧表面设置吸光层(第一吸光层、第二吸光层)，吸光层包括AlGaAs/GaAs异质结构，使其带隙能量略低于两个结的有源区所发射的光子能量；基于此，从有源区发射并传播至器件两侧的“无用”红外光子，能够被这两个吸光层有效吸收；具体地，对于可见红光(620‑750nm)，其光子能量高于AlGaAs的带隙，会被该层强烈吸收，无法逸出到器件外部，从而消除了“红曝光”。其次，通过隧道结的技术，将两个发光外延结构(第一外延结构、第二外延结构)进行串联起来，这个过程实现了载流子的二次利用，这使得在相同的驱动电流下，显著提升内量子效率(IQE)和功率转换效率，以提高器件的总光输出功率(亮度)，从而很好地补偿因第一、第二吸光层所引入的亮度损失问题，最终实现了增益。